不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。
例如，隨著微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質含量 靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。
不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。
例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度 為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。
靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。
靶材密度越高，薄膜的性能越好。
此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。
密度也是靶材的關鍵性能指標之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布 通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。
對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。
|
品 名
|
純度
|
密度
|
鍍膜優勢色
|
形狀
|
常規尺寸
|
應用行業
|
|
鈦鋁（TiAl）合金靶
|
2N8-4N
|
3.6-4.2
|
玫瑰金/咖啡色
|
圓柱形
|
直 徑
60/65/95/100*30/32/40/45mm
|
裝
飾
/
工
具
|
|
純鉻（Cr）靶
|
2N7-4N
|
7.19
|
白色/黑色
|
圓柱形
|
||
|
純鈦（Ti）靶）
|
2N8-4N
|
4.51
|
金黃色/槍黑色
藍色/玫瑰紅
|
圓柱形
|
||
|
純鋯（Zr）靶
|
2N5-4N
|
6.5
|
金色
|
圓柱形
|
||
|
純鋁（Al））靶
|
4N-5N
|
2.7
|
銀色
|
圓柱形
|
||
|
純鎳（Ni）靶
|
3N-4N
|
8.9
|
金屬本色
|
圓柱形
|
||
|
鎳釩（Ni）靶
|
3N
|
8.57
|
藍綠色
|
圓柱形
|
||
|
純鈮（Nb）靶
|
3N
|
8.57
|
白色
|
圓柱形
|
||
|
純鉭（Ta）靶
|
3N5
|
16.4
|
黑色/紫色
|
圓柱形
|
||
|
純鉬（Mo）靶
|
3N5
|
10.2
|
黑色
|
圓柱形
|
||